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盖世汽车讯 据外媒报道，下一代功率半导体公司Navitas Semiconductor宣布扩展其产品组合，以进入更高功率市场，其领先的碳化硅（SiC）功率产品将提供SiCPAK™模块和裸片两种形式。

图片来源：Navitas Semiconductor

目标应用包括集中式和组串式太阳能逆变器、储能系统（ESS）、工业运动、电动汽车（EV）车载充电器、EV路边快速充电器、风能、UPS、双向微电网、DC-DC转换器以及固态断路器。

从650 V到6,500 V，Navitas拥有最广泛的SiC技术。从原始的分立封装系列——从8x8 mm表面贴装QFN到通孔TO-247——GeneSiC SiCPAK是更高功率应用的初始直接切入点。全面的功率模块路线图，包括高压SiC MOSFET和MPS二极管、GaN功率IC、高速数字隔离器和低压硅控IC，正在制定中。

Navitas SiC部门执行副总裁Ranbir Singh博士指出：“凭借领先的功率、控制和隔离技术的完整组合，Navitas将使客户能够加速从化石燃料和传统硅功率产品过渡到新的可再生能源的和下一代半导体，实现更强大、更高效，且更快的充电系统。”

SiCPAK™模块采用“压接”技术，可为电源电路提供紧凑的外形尺寸，并为终端用户提供具有成本效益的功率密集型解决方案。这些模块基于GeneSiC芯片构建，实现卓越的性能、可靠性和坚固性。具体示例包括SiCPAK半桥模块，额定值为6 mOhm，电压为1,200 V，并采用行业领先的沟槽辅助平面栅极SiC MOSFET技术。SiC MOSFET和MPS二极管的多种配置将可用于创建具有卓越系统性能的特定应用模块。初始版本将包括额定电压为1,200 V，额定电阻为6、12、20和30mOhm的4款半桥模块。

在无铅SiCPAK中，每个SiC芯片都用银（Ag）烧结到模块的基板上，以实现卓越的冷却和可靠性。该基板本身是“直接键合铜”（DBC），使用活性金属钎焊（AMB）技术在氮化硅（Si3N4）陶瓷上制造，非常适合功率循环应用。这种结构具有出色的强度和柔韧性、抗断裂性和良好的导热性，可实现凉爽、可靠，且长寿命的运行。

对于喜欢自己制作大功率模块的客户，所有GeneSiC MOSFET和MPS二极管均提供裸片形式，具有金（Au）和铝（Al）顶面金属化。