占总预算 10% ，SK 海力士将投 10 亿美元提高 HBM 封装能力

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IT之家 3 月 7 日消息，SK 海力士为了巩固 HBM 存储芯片市场上的领先地位，2024 年计划投资超过 10 亿美元，扩大在韩国的测试和封装能力。据第三方专家预测，SK 海力士今年的资本支出总额将达到 105 亿美元。

彭博社报道称，测试和封装能力在总支出预算占比 10%，表明 SK 海力士非常重要封装能力。IT之家从报道中获悉，这项业务由 Lee Kang-Wook 领导，他曾在三星电子从事过类似的工作，其特长是结合不同的半导体材料和开发新的互连方法。

Lee Kang-Wook 认为半导体行业的前 50 年致力于硅加工相关组件的初始阶段，而后 50 年将致力于芯片封装技术。

Lee Kang-Wook 参与开发 HBM2E 内存芯片封装方法，SK 海力士也正是凭借着封装方面的优势，被英伟达选中成为主要 AI 芯片供应商。

作为一名三星工程师，Lee Kang-Wook 从 2002 年开始领导堆叠半导体元件层间互连技术的开发。这项技术后来为 HBM 内存芯片的诞生奠定了基础，最新一代的 HBM 内存芯片有 12 层，垂直连接。

2013 年，SK hynix 和 AMD 率先在量产产品中使用了 HBM，此后两年内没有任何竞争对手可以效仿，直到 2015 年底三星推出 HBM2。

SK hynix 目前正在与日本公司合作，开发更先进的 HBM 存储器芯片垂直互连技术。2 月底，三星宣布已完成 12 层 HBM3E 芯片的开发，单层堆栈可提供高达 36 GB 的内存。美光科技（Micron Technology）同时宣布推出 8 层 HBM3E 内存，单堆容量可达 24 GB。

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